Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated DMG4511SK4-13, комплементарная пара, 35 В, 20 шт.

Комплементарная пара транзисторов N/P-MOSFET от Diodes Incorporated, модель DMG4511SK4-13. Комплект состоит из 20 элементов в корпусе TO252-4 для поверхностного монтажа (SMD). Транзисторы имеют напряжение сток-исток 35/-35 В и ток 7,8/-8,6 А.

• Комплементарная пара N/P-MOSFET в одном корпусе
• Напряжение сток-исток: 35/-35 В
• Ток стока: 7,8/-8,6 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,035/0,045 Ом
• Корпус TO252-4 для SMD монтажа
• Комплект: 20 транзисторов

Комплементарная структура

Транзистор представляет собой комплементарную пару N-канального и P-канального MOSFET с общим стоком. Структура с общим стоком объединяет два транзистора в одном корпусе.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 35 В для N-канала и -35 В для P-канала. Ток стока равен 7,8 А и -8,6 А соответственно. Сопротивление в открытом состоянии — 0,035 Ом и 0,045 Ом.

Монтаж и корпус

Элементы выполнены в корпусе TO252-4 (DPAK) для поверхностного монтажа (SMD). Корпус TO252-4 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Рассеиваемая мощность составляет 1,54 Вт. Напряжение затвор-исток — ±20 В. Канал обогащенного типа, что требует открытия напряжением выше порога.