Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG4496SSS-13, 30 В, 6 А, SO8 (набор 40 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG4496SSS-13 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель рассчитана на напряжение 30 В и постоянный ток 6 А, что делает ее пригодной для коммутационных задач в устройствах с питанием до 30 В.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение «сток-исток»: 30 В
• Постоянный ток стока: 6 А (импульсный до 60 А)
• Сопротивление в открытом состоянии: 29 мОм
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Набор: 40 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение «сток-исток» 30 В и постоянный ток стока 6 А. В импульсном режиме ток может достигать 60 А, что позволяет выдерживать кратковременные пиковые нагрузки. Напряжение «затвор-исток» составляет ±25 В, а сопротивление в открытом состоянии — 29 мОм.

Заряд затвора и мощность

Заряд затвора составляет 10,2 нКл. Рассеиваемая мощность составляет 1,42 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Транзистор выполнен в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD).