Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG1012UWQ-7, 20 В, 0.75 А, SOT323 (60 шт.)

1 870 ₴

  • В наличии
  • Код: TM073279
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG1012UWQ-7, 20 В, 0.75 А, SOT323 (60 шт.)
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG1012UWQ-7, 20 В, 0.75 А, SOT323 (60 шт.)В наличии
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG1012UWQ-7 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Комплект состоит из 60 единиц в корпусе SOT323 для поверхностного монтажа.

  • Тип транзистора: N-MOSFET
  • Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 В
  • Максимально допустимый ток стока: 0.75 А
  • Максимальная мощность рассеивания: 0.61 Вт
  • Корпус: SOT323
  • Количество в комплекте: 60 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 20 В, а максимально допустимый ток стока — 0.75 А. Мощность рассеивания ограничена значением 0.61 Вт.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOT323 с типом монтажа SMD.

Комплектация

В наборе поставляется 60 шт. транзисторов. Символ производителя: DMG1012UWQ-7. Импульсный ток стока составляет 6 А, а заряд затвора — 1 нКл. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,75 Ом. Максимальное напряжение затвор-исток — ±6 В.

Характеристики
Основные
ПроизводительDiodes Incorporated
Максимальная мощность рассеивания0.61 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток6 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток20 В
Максимально допустимый ток стока0.75 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)750 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте60 шт.
КорпусSOT323
Информация для заказа
  • Цена: 1 870 ₴