Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated DMC6040SSD-13, комплементарная пара, SO8, 30 шт.

1 910 ₴

  • В наличии
  • Код: TM073278
Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated DMC6040SSD-13, комплементарная пара, SO8, 30 шт.
Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated DMC6040SSD-13, комплементарная пара, SO8, 30 шт.В наличии
1 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Комплект из 30 транзисторов Diodes Incorporated DMC6040SSD-13 — это комплементарная пара N/P-MOSFET в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD). Транзисторы имеют напряжение сток-исток 60/-60 В и ток 5,1/-3,9 А.

  • Комплект из 30 транзисторов
  • Комплементарная пара N/P-MOSFET
  • Напряжение сток-исток 60/-60 В
  • Ток стока 5,1/-3,9 А
  • Корпус SO8 для SMD-монтажа
  • Рассеиваемая мощность 1,56 Вт

Комплементарная пара N/P-MOSFET

Транзистор является униполярным комплементарным N/P-MOSFET с каналом обогащения. Номинальное напряжение сток-исток составляет 60 В для N-канала и -60 В для P-канала.

Электрические параметры

Ток стока равен 5,1 А для N-канала и -3,9 А для P-канала. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 0,04 Ом для N-канала и 0,11 Ом для P-канала. Максимальная рассеиваемая мощность — 1,56 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD).

Характеристики
Основные
ПроизводительDiodes Incorporated
Максимальная мощность рассеивания1.56 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораБиполярный
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте30 шт.
КорпусSO8
Информация для заказа
  • Цена: 1 910 ₴