Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated DMC3032LSD-13, комплементарная пара, SO8, 30 шт.

Комплект из 30 комплементарных транзисторов Diodes Incorporated DMC3032LSD-13 в корпусе SO8. Это униполярные N/P-MOSFET с напряжением сток-исток 30/-30 В и током 7/-8,1 А, предназначенные для SMD-монтажа.

• Комплект из 30 комплементарных транзисторов N/P-MOSFET
• Напряжение сток-исток: 30 В (N) / -30 В (P)
• Ток стока: 7 А (N) / -8,1 А (P)
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,032 Ом (N) / 0,039 Ом (P)
• Корпус SO8 для SMD-монтажа
• Рассеиваемая мощность 2,5 Вт

Комплементарная пара N/P-MOSFET

Транзистор представляет собой комплементарную пару, объединяющую N-канальный и P-канальный MOSFET в одном корпусе. Оба транзистора являются униполярными с каналом обогащения (enhancement mode).

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 30 В для N-канала и -30 В для P-канала. Ток стока равен 7 А для N-канала и -8,1 А для P-канала. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 0,032 Ом для N-канала и 0,039 Ом для P-канала. Рассеиваемая мощность — 2,5 Вт.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект содержит 30 транзисторов. Тип транзистора определен как N/P-MOSFET, что указывает на наличие в корпусе двух структур разной полярности. Полярность компонентов является униполярной, а тип канала — обогащенный. Это соответствует стандартным параметрам для данного типа активных компонентов.