Транзистор N/P-MOSFET DMC3021LSD-13, комплементарная пара, SO8, 30 шт.

Комплект из 30 комплементарных транзисторов DMC3021LSD-13 от Diodes Incorporated. Это N/P-MOSFET пары в корпусе SO8 для SMD-монтажа, обеспечивающие удобное решение для схем с симметричным управлением.

• Комплект из 30 комплементарных транзисторов
• Тип: N/P-MOSFET, канал обогащения
• Корпус SO8 для SMD-монтажа
• Напряжение сток-исток: 30/-30 В
• Ток стока: 7 А / -8,5 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,021 Ом / 0,039 Ом

Комплементарная пара для симметричных схем

Транзисторы образуют комплементарную пару N-канального и P-канального MOSFET. Это позволяет создавать симметричные выходные каскады и драйверы без подбора отдельных компонентов. Такое решение упрощает разработку схем с push-pull конфигурацией.

Компактный корпус SO8 для SMD-монтажа

Компоненты выполнены в корпусе SO8, который подходит для поверхностного монтажа (SMD). Это обеспечивает компактность платы и совместимость с автоматизированными линиями производства. Корпус SO8 является стандартным для многих промышленных применений.

Электрические параметры для низковольтных применений

Максимальное напряжение сток-исток составляет 30 В для N-канала и -30 В для P-канала. Ток стока достигает 7 А и -8,5 А соответственно. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 0,021 Ом и 0,039 Ом, что минимизирует потери мощности при коммутации.

Рассеиваемая мощность и управление затвором

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 2,5 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Напряжение затвор-исток допускает значения ±20 В, что обеспечивает гибкость в выборе драйверов управления. Эти параметры важны для стабильной работы схемы под нагрузкой.