Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW170SIC049, 1700 В, 47 А, TO247-3

Транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW170SIC049 — это полупроводниковый прибор, изготовленный по технологии карбида кремния (SiC). Он предназначен для работы в электрических цепях с напряжением 1,7 кВ и током нагрузки 47 А.

• Напряжение сток-исток: 1700 В
• Ток стока: 47 А (импульсный 150 А)
• Технология: SiC (карбид кремния)
• Сопротивление в открытом состоянии: 81 мОм
• Рассеиваемая мощность: 357 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT

Прибор выдерживает напряжение между стоком и истоком до 1700 В. Номинальный ток стока составляет 47 А, а импульсный ток может достигать 150 А.

Технология SiC и эффективность

Использование технологии SiC (карбид кремния) позволяет получить низкое сопротивление в открытом состоянии — 81 мОм. Рассеиваемая мощность составляет 357 Вт, что требует эффективного отвода тепла.

Корпус и монтаж

Транзистор выполнен в стандартном корпусе TO247-3. Монтаж осуществляется выводами в отверстия (THT). Полярность прибора — униполярная, канал обогащаемый.