Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW065SIC049, 650V, 48A, TO247-3 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW065SIC049 — это силовой полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC). Комплект состоит из 2 штук, предназначенных для навесного монтажа (THT) в корпусе TO247-3.

• Технология SiC для высокой эффективности
• Напряжение сток-исток 650 В
• Постоянный ток стока 48 А
• Импульсный ток до 135 А
• Рассеиваемая мощность 550 Вт
• Корпус TO247-3, монтаж THT
• Комплект из 2 штук

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 48 А. Это позволяет использовать компонент в высоковольтных схемах питания и инверторах, где требуется стабильная работа под значительной нагрузкой.

Эффективность технологии SiC

Использование технологии SiC обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии 50 мОм. Такой показатель снижает потери энергии и нагрев компонента, что повышает общий КПД устройства.

Импульсные характеристики

Прибор выдерживает импульсный ток стока до 135 А и имеет рассеиваемую мощность 550 Вт. Это важно для схем с резкими пусковыми токами или кратковременными пиковыми нагрузками.

Удобство монтажа

Компонент выполнен в стандартном корпусе TO247-3 с типом монтажа THT (through-hole technology). Это упрощает процесс установки на печатные платы и обеспечивает надежный механический контакт.

Транзистор DIOTEC DIW065SIC049 подходит для инженеров и техников, которые создают или ремонтируют высоковольтные электронные устройства, требующие эффективных силовых ключей.## Униполярная структура и канал типа N-канальный MOSFET с униполярной структурой и обогащенным каналом обеспечивает простое управление и стабильную работу. Это упрощает разработку схем питания, где важна надежность переключения без дополнительных сложных драйверов.