Транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW018N65, 650 В, 11 А, TO247-3, набор 5 шт.

Набор из 5 транзисторов N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW018N65 в корпусе TO247-3. Компоненты предназначены для силовых электронных схем с напряжением до 650 В и током 11 А.

• Тип: N-MOSFET, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 650 В
• Ток стока: 11 А (импульсный до 60 А)
• Мощность рассеивания: 155 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,18 Ω
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Количество в наборе: 5 шт.

Электрические параметры и ток

Транзисторы выдерживают напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 11 А. Импульсный ток может достигать 60 А, что обеспечивает надежность при кратковременных перегрузках. Такие параметры делают компонент универсальным для силовых применений.

Управление и заряд затвора

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 155 Вт, что позволяет отводить тепло от кристалла. Сопротивление в открытом состоянии 0,18 Ω минимизирует потери мощности на нагрев. Это повышает общий КПД устройства и снижает требования к системе охлаждения.

Заряд затвора и управление

Заряд затвора составляет 38 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора. Максимальное напряжение затвор-исток ±30 В определяет допустимые режимы управления. Однополярная структура и канал обогащения обеспечивают стабильную работу в ключевых режимах.