Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC022, 1200 В, 85 А, TO247-4

Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF120SIC022 изготовлен по технологии SiC (карбид кремния) в корпусе TO247-4. Прибор рассчитан на напряжение 1,2 кВ и постоянный ток 85 А.

• Технология SiC (карбид кремния)
• Напряжение сток-исток: 1200 В
• Постоянный ток стока: 85 А
• Импульсный ток: 250 А
• Рассеиваемая мощность: 340 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 28 мОм
• Корпус: TO247-4, монтаж THT

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 1,2 кВ и выдерживает постоянный ток стока 85 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 250 А.

Технология SiC и сопротивление

Использование карбида кремния (SiC) определяет технологию изготовления компонента. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 28 мОм.

Мощность и конструкция

Максимальная рассеиваемая мощность равна 340 Вт. Компонент предназначен для навесного монтажа (THT) в корпусе TO247-4, который имеет вывод Кельвина.