Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI1A5N60D1, 600В, 0,97А, DPAK (DI1A5N60D1-DIO) — набор 50 шт.
2 060 ₴
- В наличии
- Код: TM073224
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI1A5N60D1, 600В, 0,97А, DPAK (DI1A5N60D1-DIO) — набор 50 шт.В наличии
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI1A5N60D1 — это полупроводниковый компонент. Модель имеет напряжение сток-исток 600 В и ток стока 0,97 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 0,97 А
- Импульсный ток стока: 6 А
- Рассеиваемая мощность: 25 Вт
- Корпус: DPAK (TO252AA)
- Монтаж: SMD
- Количество в комплекте: 50 шт.
Напряжение и ток
Напряжение сток-исток составляет 600 В. Ток стока равен 0,97 А, а импульсный ток стока — 6 А. Рассеиваемая мощность составляет 25 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DPAK (TO252AA) для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
Товар поставляется набором из 50 транзисторов. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В. Заряд затвора равен 7,9 нКл. Сопротивление в открытом состоянии составляет 8 Ом. Канал обогащенного типа, полярность униполярная.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diotec Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.97 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252AA |
Информация для заказа
- Цена: 2 060 ₴