
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI114N06PQ, 65В, 72,5А, QFN5x6, комплект 20 шт.
2 890 ₴
- В наличии
- Код: TM018376
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI114N06PQ — это униполярный компонент с индуцированным каналом, предназначенный для коммутации тока до 72,5 А при напряжении 65 В. Комплект из 20 штук обеспечивает необходимое количество элементов для серийного монтажа или сборки устройств.
- Ток стока 72,5 А и импульсный ток 480 А
- Низкое сопротивление в открытом состоянии 2,5 мОм
- Мощность рассеивания 63,8 Вт
- Корпус QFN5x6 для SMD-монтажа
- Комплект из 20 транзисторов
Высокая токовая нагрузка
Транзистор выдерживает постоянный ток стока 72,5 А и импульсный ток до 480 А, что позволяет использовать его в силовых цепях с высокими пиковыми нагрузками.
Эффективное рассеивание тепла
Мощность рассеивания составляет 63,8 Вт, что требует качественного отвода тепла от корпуса. Низкое сопротивление в открытом состоянии 2,5 мОм минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы.
Компактный SMD-монтаж
Компонент выполнен в корпусе QFN5x6 с технологией поверхностного монтажа (SMD). Это позволяет экономить место на печатной плате и упрощает автоматизированный монтаж, что критично для компактных электронных устройств.
Удобная комплектация для производства
Упаковка содержит 20 транзисторов. Стандартный корпус QFN5x6 и параметры N-MOSFET подходят для различных схем коммутации. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 78,5 нКл, что определяет требования к управляющему сигналу.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diotec Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 63.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 65 В |
| Максимально допустимый ток стока | 72.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | QFN5x6 |
- Цена: 2 890 ₴
