
Транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DI001N65PTK, 650 В, 1 А, QFN3X3, 30 шт.
2 310 ₴
- В наличии
- Код: TM035475
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DI001N65PTK — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 650 В и ток 1 А. Товар поставляется комплектом из 30 штук в корпусе QFN3X3 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 1 А (в импульсе до 4 А)
- Мощность рассеивания: 32,2 Вт
- Корпус: QFN3X3, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В и номинальный ток стока 1 А. В импульсном режиме ток стока может достигать 4 А. Мощность рассеивания составляет 32,2 Вт, а заряд затвора — 5,8 нКл.
Компонент выполнен в корпусе QFN3X3 для поверхностного монтажа (SMD).
Комплект поставки
Упаковка содержит 30 транзисторов DI001N65PTK.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diotec Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 32.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1600 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | QFN3X3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 310 ₴
