Транзистор IGBT Diodes Incorporated DGTD65T15H2TF, 650 В, 15 А, ITO220AB (набор 10 шт.)

Транзистор IGBT от Diodes Incorporated в корпусе ITO220AB. Предназначен для работы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В и током коллектора 15 А. Пакет содержит 10 единиц.

• Тип транзистора: IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Ток коллектора: 15 А
• Мощность рассеивания: 24 Вт
• Корпус: ITO220AB
• Монтаж: THT (в отверстия)
• Количество в комплекте: 10 шт.

Напряжение и ток

Транзистор рассчитан на постоянное напряжение коллектор-эмиттер 650 В и номинальный ток коллектора 15 А. Максимальный импульсный ток коллектора составляет 60 А. Мощность рассеивания равна 24 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.

Время переключения

Время включения транзистора составляет 46 нс, а время выключения — 280 нс. Заряд затвора равен 61 нКл. Допустимое напряжение затвор-эмиттер ограничено ±20 В.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе ITO220AB для монтажа в отверстия (THT).