Диод Шоттки IXYS DCG10P1200HR, SiC, 1200 В, 12,5 А, корпус ISO247

Диод Шоттки IXYS DCG10P1200HR — это полупроводниковый компонент на технологии SiC в корпусе ISO247™. Компонент характеризуется сверхбыстрым переключением.

• Технология SiC для сверхбыстрого переключения
• Максимальное обратное напряжение 1,2 кВ
• Ток проводимости 12,5 А
• Импульсный ток до 750 А
• Корпус ISO247™ для монтажа в отверстия (THT)

Высокое напряжение и ток

Диод работает с максимальным обратным напряжением 1,2 кВ и током проводимости 12,5 А. Компонент имеет максимальное обратное напряжение 1,2 кВ.

Технология SiC и скорость

Использование карбида кремния (SiC) обеспечивает сверхбыстрое переключение. Использование карбида кремния (SiC) обеспечивает сверхбыстрое переключение.

Низкое сопротивление и импульсная стойкость

Максимальное напряжение проводимости составляет 2,2 В. Диод выдерживает импульсный ток до 750 А.

Конструкция и монтаж

Компонент имеет двойную последовательную структуру полупроводника и предназначен для монтажа в отверстия (THT). Корпус ISO247™.