Транзисторный модуль DACO Semiconductor DACMI40N1200, SiC, 1200 В, 25 А, SOT227B

Модуль DACO Semiconductor DACMI40N1200 — это полупроводниковый компонент на основе технологии SiC, содержащий одиночный транзистор MOSFET. Устройство предназначено для высоковольтных применений с номинальным напряжением 1200 В и током 25 А, обеспечивая эффективное переключение в промышленных электронных системах.

• Технология SiC для высокой эффективности
• Номинальное напряжение 1200 В
• Ток стока 25 А
• Рабочий диапазон температур -55...150 °C
• Корпус SOT227B с винтовым креплением
• Одиночный транзистор MOSFET

Высоковольтная стойкость

Модуль рассчитан на рабочее напряжение сток-исток 1200 В, что позволяет использовать его в сетях с повышенным напряжением. Такой параметр критичен для инверторов и преобразователей, где необходима надежная изоляция и стабильность работы под высокой нагрузкой.

Эффективность технологии SiC

Использование карбида кремния (SiC) в качестве полупроводникового материала обеспечивает лучшие тепловые характеристики по сравнению с традиционным кремнием. Это позволяет устройству работать в широком температурном диапазоне от -55 до 150 °C, сохраняя стабильность параметров в сложных условиях эксплуатации.

Надежное крепление и монтаж

Корпус SOT227B с винтовым креплением (винтовой монтаж) гарантирует плотный контакт с радиатором и механическую устойчивость. Такое решение упрощает интеграцию модуля в промышленные блоки питания, обеспечивая долговечность соединений и эффективный отвод тепла.