Транзистор DACO Semiconductor DACMI40N1200, SiC, 1200 В, 25 А, SOT227B
3 220 ₴
- В наличии
- Код: TM018333
Транзистор DACO Semiconductor DACMI40N1200, SiC, 1200 В, 25 А, SOT227BВ наличии
3 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор DACO Semiconductor DACMI40N1200 — это силовой MOSFET на основе карбида кремния (SiC) в корпусе SOT227B. Устройство рассчитано на максимальное напряжение 1200 В и ток стока 25 А.
- Технология: SiC
- Корпус: SOT227B
- Максимальная рабочая температура: 150 °C
- Максимально допустимый ток стока: 25 А
- Монтаж: винтовой
Электрические параметры
Модуль работает с максимальной рабочей температурой до 150 °C. Максимально допустимый ток стока составляет 25 А. Технология SiC определяет ключевые характеристики полупроводниковой структуры.
Конструкция и монтаж
Корпус типа SOT227B обеспечивает стандартное крепление. Монтаж механический и электрический — винтовой. Структура полупроводника — одиночный транзистор, поляризация униполярная.
Характеристики
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
| Основные | |
| Максимально допустимый ток стока | 25 А |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SOT227B |
| Производитель | DACO Semiconductor |
| Рабочая температура | -55–150 |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 3 220 ₴