Диодный модуль DACO Semiconductor CSRI2X50-065, SiC, 650 В, 50 А x2

Диодный модуль DACO Semiconductor CSRI2X50-065 — это полупроводниковый компонент на основе карбида кремния (SiC) в корпусе SOT227B. Устройство имеет двойную независимую структуру с двумя диодами Шоттки, рассчитанными на ток 50 А каждый.

• Технология SiC (карбид кремния)
• Корпус SOT227B
• Максимальное обратное напряжение 650 В
• Ток проводимости 50 А x2
• Максимальный импульсный ток 0,5 кА
• Максимальное напряжение проводимости 1,45 В
• Двойная независимая структура
• Тип диода: Шоттки

Высокое напряжение и ток

Модуль работает при максимальном обратном напряжении 650 В и обеспечивает прямой ток 50 А для каждого из двух каналов.

Технология SiC и корпус SOT227B

Использование технологии SiC (карбид кремния). Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT227B, что предполагает монтаж прикручиванием.

Электрические параметры

Максимальное напряжение проводимости составляет 1,45 В. Максимальный импульсный ток достигает 0,5 кА.