Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD88539NDT, 60V, 15A, SO8 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD88539NDT — это двойной полевой транзистор в корпусе SO8, предназначенный для коммутации нагрузок до 15 А при напряжении 60 В. Комплект из 20 штук удобен для прототипирования и серийного монтажа на печатных платах.

• Двойной N-MOSFET транзистор в корпусе SO8
• Максимальное напряжение сток-исток 60 В
• Ток стока до 15 А
• Сопротивление в открытом состоянии 23 мОм
• Рассеиваемая мощность 2,1 Вт
• Комплект из 20 штук для монтажа

Эффективная коммутация тока

Транзистор имеет сопротивление в открытом состоянии 23 мОм, что минимизирует потери мощности и нагрев во время работы. Максимальный ток стока составляет 15 А, а напряжение сток-исток — 60 В, что позволяет использовать компонент в силовых цепях. Рассеиваемая мощность ограничена 2,1 Вт, поэтому важно обеспечить надлежащий отвод тепла от корпуса.

Компактный корпус SMD

Монтаж осуществляется методом поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SO8, что экономит место на плате и упрощает автоматизацию производства. Технология NexFET™ обеспечивает быстрое переключение и низкие потери на заряде. Заряд затвора составляет 7,2 нКл, что влияет на быстродействие и требования к драйверу затвора.

Электрические параметры затвора и канала

Транзистор имеет однополярную полярность и обогащенный канал, что определяет логику его открывания. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что задает границы управляющего сигнала. Эти параметры важны для правильного выбора драйвера и схемы управления.## Комплект для прототипирования и серийного монтажа