Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD87502Q2T, 30V, 5A, WSON6 (набор 40 шт.)
2 340 ₴
- В наличии
- Код: TM035436
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD87502Q2T, 30V, 5A, WSON6 (набор 40 шт.)В наличии
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD87502Q2T — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель выполнена в компактном корпусе WSON6 размером 2 × 2 мм и поставляется набором из 40 штук.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 5 А
- Корпус: WSON6, размер 2 × 2 мм
- Монтаж: SMD
- Количество в наборе: 40 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 30 В и ток стока 5 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 35,5 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 2,3 Вт, а заряд затвора — 2,2 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен по технологии NexFET™ в корпусе WSON6. Габаритные размеры 2 × 2 мм, монтаж — SMD.
Технические характеристики и монтаж
Компонент изготовлен по технологии NexFET™. Напряжение затвора составляет ±20 В. В комплект входит 40 транзисторов CSD87502Q2T.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 35.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | WSON6 |
| Размеры | 2 × 2 |
| Технология | NexFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 340 ₴