Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19537Q3T, 100V, 50A, VSON-CLIP8 (20 шт.)
3 540 ₴
- В наличии
- Код: TM018296
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19537Q3T, 100V, 50A, VSON-CLIP8 (20 шт.)В наличии
3 540 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19537Q3T — это униполярный компонент с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 100 В и ток 50 А. Пакет содержит 20 штук.
- Ток стока 50 А
- Напряжение сток-исток 100 В
- Рассеиваемая мощность 83 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 12,1 мОм
- Корпус VSON-CLIP8 (SMD)
- Упаковка: 20 шт.
Мощность и ток
Компонент имеет напряжение сток-исток 100 В и ток стока 50 А. Рассеиваемая мощность составляет 83 Вт.
Низкое сопротивление и технология NexFET™
Благодаря технологии NexFET™ сопротивление в открытом состоянии составляет 12,1 мОм. Заряд затвора равен 16 нКл.
Компактный корпус SMD
Транзистор выполнен в корпусе VSON-CLIP8 с размерами 3,3 × 3,3 мм. Тип монтажа — SMD.
Комплектация
В комплект поставки входят 20 транзисторов CSD19537Q3T. Напряжение на затворе может достигать ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 83 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 50 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 12.1 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | VSON-CLIP8 |
| Размеры | 3.3 × 3.3 |
| Технология | NexFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 3 540 ₴