Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS, 100 В, 150 А, 375 Вт, TO220-3 (5 шт.)
2 460 ₴
- В наличии
- Код: TM073080
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS, 100 В, 150 А, 375 Вт, TO220-3 (5 шт.)В наличии
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS — это полупроводниковый прибор с каналом типа N и технологией NexFET™. Комплект состоит из 5 штук в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT).
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
- Максимально допустимый ток стока: 150 А
- Максимальная мощность рассеивания: 375 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технология: NexFET™
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 100 В, а максимально допустимый ток стока — 150 А. Максимальная мощность рассеивания достигает 375 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с толщиной радиатора 1.14–1.4 мм. Тип монтажа THT (through-hole technology) означает установку выводов в отверстия печатной платы.
Технология NexFET™
Производитель применяет технологию NexFET™, которая оптимизирует характеристики полевого транзистора. В комплект входит 5 шт. транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 375 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 150 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.3 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | NexFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 460 ₴