Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19535KTT, 100 В, 200 А, D2PAK (набор 10 шт.)

3 630 ₴

  • В наличии
  • Код: TM018294
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19535KTT, 100 В, 200 А, D2PAK (набор 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19535KTT, 100 В, 200 А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
3 630 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19535KTT — это силовой компонент на основе технологии NexFET™, предназначенный для высоковольтных схем. Модель рассчитана на напряжение 100 В и постоянный ток 200 А, что делает ее идеальным решением для промышленного оборудования и мощных источников питания. Транзистор является униполярным с каналом обогащения, что обеспечивает простое управление и стабильную работу в ключевых режимах.

  • Ток стока 200 А для мощных силовых цепей
  • Импульсный ток до 400 А для пиковых нагрузок
  • Рассеиваемая мощность 300 Вт обеспечивает надежность
  • Низкое сопротивление 4,1 мОм снижает потери энергии
  • Корпус D2PAK и монтаж SMD для удобной пайки
  • Набор из 10 транзисторов для серийного производства

Высокая токовая нагрузка и напряжение

Транзистор выдерживает постоянный ток стока 200 А и напряжение сток-исток 100 В, что позволяет использовать его в цепях с большим энергопотреблением. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 400 А, обеспечивая стабильную работу при пиковых нагрузках. Это критически важно для систем, где возможны кратковременные перегрузки.

Эффективное рассеивание тепла и низкие потери

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 300 Вт, что гарантирует надежность компонента во время длительной работы. Низкое сопротивление в открытом состоянии 4,1 мОм минимизирует потери энергии и нагрев корпуса. Такая эффективность позволяет уменьшить размеры радиаторов или отказаться от них в некоторых применениях.

Удобный монтаж и комплектация

Компонент выполнен в корпусе D2PAK с технологией монтажа SMD, что упрощает автоматизированное производство плат. Товар поставляется набором из 10 штук, что удобно для прототипирования или серийной сборки. Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В позволяет использовать стандартные драйверы управления.

Характеристики
Основные
ПроизводительTexas Instruments
Максимальная мощность рассеивания300 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток100 В
Максимально допустимый ток стока200 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)4.1 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте10 шт.
КорпусD2PAK
ТехнологияNexFET™
Информация для заказа
  • Цена: 3 630 ₴