
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19535KTT, 100 В, 200 А, D2PAK (набор 10 шт.)
3 630 ₴
- В наличии
- Код: TM018294
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19535KTT — это силовой компонент на основе технологии NexFET™, предназначенный для высоковольтных схем. Модель рассчитана на напряжение 100 В и постоянный ток 200 А, что делает ее идеальным решением для промышленного оборудования и мощных источников питания. Транзистор является униполярным с каналом обогащения, что обеспечивает простое управление и стабильную работу в ключевых режимах.
- Ток стока 200 А для мощных силовых цепей
- Импульсный ток до 400 А для пиковых нагрузок
- Рассеиваемая мощность 300 Вт обеспечивает надежность
- Низкое сопротивление 4,1 мОм снижает потери энергии
- Корпус D2PAK и монтаж SMD для удобной пайки
- Набор из 10 транзисторов для серийного производства
Высокая токовая нагрузка и напряжение
Транзистор выдерживает постоянный ток стока 200 А и напряжение сток-исток 100 В, что позволяет использовать его в цепях с большим энергопотреблением. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 400 А, обеспечивая стабильную работу при пиковых нагрузках. Это критически важно для систем, где возможны кратковременные перегрузки.
Эффективное рассеивание тепла и низкие потери
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 300 Вт, что гарантирует надежность компонента во время длительной работы. Низкое сопротивление в открытом состоянии 4,1 мОм минимизирует потери энергии и нагрев корпуса. Такая эффективность позволяет уменьшить размеры радиаторов или отказаться от них в некоторых применениях.
Удобный монтаж и комплектация
Компонент выполнен в корпусе D2PAK с технологией монтажа SMD, что упрощает автоматизированное производство плат. Товар поставляется набором из 10 штук, что удобно для прототипирования или серийной сборки. Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В позволяет использовать стандартные драйверы управления.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 200 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.1 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | NexFET™ |
- Цена: 3 630 ₴
