Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19533Q5AT, 100 В, 100 А, 96 Вт (VSONP8) — набор 10 шт.
2 460 ₴
- В наличии
- Код: TM073078
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19533Q5AT, 100 В, 100 А, 96 Вт (VSONP8) — набор 10 шт.В наличии
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19533Q5AT — это униполярный компонент с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 100 В и ток 100 А. Устройство выполнено в корпусе VSONP8 размером 5 × 6 мм по технологии NexFET™ и предназначено для поверхностного монтажа (SMD).
- Максимальная мощность рассеивания 96 Вт
- Напряжение сток-исток 100 В
- Ток стока 100 А
- Корпус VSONP8 размером 5 × 6 мм
- Технология NexFET™
- Набор из 10 транзисторов
Электрические параметры и нагрузки
Максимальная мощность рассеивания составляет 96 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Максимально допустимое напряжение сток-исток равно 100 В, а максимально допустимый ток стока — 100 А.
Корпус, монтаж и технология
Компонент имеет корпус VSONP8 с габаритами 5 × 6 мм. Тип монтажа — SMD (поверхностный). Производитель Texas Instruments применяет технологию NexFET™ для данной модели.
Комплектация и идентификация
Товар поставляется набором из 10 штук. Символ TME: CSD19533Q5AT.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 96 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7.8 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | VSONP8 |
| Размеры | 5 × 6 |
| Технология | NexFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 460 ₴