Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19531Q5AT, 100 В, 100 А, VSONP8 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19531Q5AT — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для мощных силовых схем. Модель обеспечивает высокую эффективность коммутации благодаря технологии NexFET™ и низкому сопротивлению в открытом состоянии.

• Ток стока до 100 А
• Рассеивание мощности 125 Вт
• Сопротивление в состоянии проводности 5,3 мОм
• Корпус VSONP8 (5 × 6 мм)
• Технология NexFET™
• Набор из 10 транзисторов

Высокая мощность и ток

Компонент рассчитан на постоянный ток стока до 100 А и рассеивание мощности 125 Вт. Это позволяет использовать транзистор в высоконагруженных силовых модулях, где важна стабильность работы под большой нагрузкой.

Эффективная коммутация

Сопротивление в состоянии проводности составляет всего 5,3 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента. Заряд затвора 37 нКл способствует быстрому переключению, что критично для высокочастотных преобразователей.

Компактный корпус SMD

Транзистор выполнен в корпусе VSONP8 размером 5 × 6 мм с монтажом SMD. Такие габариты позволяют экономить место на печатной плате, сохраняя при этом высокие показатели мощности.

Надежность изоляции

Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, а затвор-исток — ±20 В. Эти параметры гарантируют безопасную эксплуатацию в схемах со средним уровнем напряжения и защищают вход управления от перегрузок.

Комплектация

Товар поставляется набором из 10 штук, что удобно для прототипирования или серийного производства небольших партий.