Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18535KTT, 60В, 200А, D2PAK (набор 10 шт.)
2 520 ₴
- В наличии
- Код: TM035433
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18535KTT, 60В, 200А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
2 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18535KTT — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 10 единиц.
- Тип транзистора: N-MOSFET с обогащенным каналом
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Постоянный ток стока: 200 А (импульсный до 400 А)
- Рассеиваемая мощность: 300 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 2,9 мОм
- Корпус D2PAK, монтаж SMD
- Комплектация: набор из 10 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 60 В и постоянным током стока 200 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 400 А, а рассеиваемая мощность составляет 300 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Технология NexFET™
Прибор изготовлен по технологии NexFET™, которая характеризуется низким сопротивлением в открытом состоянии 2,9 мОм. Канал обогащенный, полярность — униполярная.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 200 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.9 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | NexFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 520 ₴