Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18510KTTT, 40 В, 200 А, D2PAK (набор 10 шт.)

3 690 ₴

  • В наличии
  • Код: TM018289
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18510KTTT, 40 В, 200 А, D2PAK (набор 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18510KTTT, 40 В, 200 А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
3 690 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18510KTTT — силовой компонент для электронных схем с нагрузкой до 200 А. Модель в корпусе D2PAK обеспечивает эффективное рассеивание тепла и удобный монтаж на печатную плату.

  • Ток стока 200 А
  • Импульсный ток 400 А
  • Мощность рассеивания 250 Вт
  • Корпус D2PAK (SMD)
  • Напряжение сток-исток 40 В
  • Набор из 10 транзисторов

Высокая токовая нагрузка и напряжение

Транзистор работает с постоянным током стока 200 А и выдерживает импульсный ток до 400 А при напряжении сток-исток 40 В. Это позволяет использовать компонент в мощных силовых цепях, где требуется надежность при резких пиках нагрузки.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 250 Вт. Такой показатель позволяет компоненту стабильно работать в условиях высокой нагрузки, снижая риск перегрева и повышая общую надежность устройства.

Технология NexFET™ и монтаж SMD

Компонент изготовлен в корпусе D2PAK с технологией монтажа SMD и использует технологию NexFET™ от Texas Instruments. Это сочетание упрощает автоматизированное производство плат, обеспечивает компактное размещение и гарантирует высокие характеристики переключения.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводимости составляет 2,6 мОм. Такое низкое значение минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы, что критично для повышения КПД силовых преобразователей и стабилизаторов напряжения.

Характеристики
Основные
ПроизводительTexas Instruments
Максимальная мощность рассеивания250 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток40 В
Максимально допустимый ток стока200 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)2.6 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте10 шт.
КорпусD2PAK
ТехнологияNexFET™
Информация для заказа
  • Цена: 3 690 ₴