
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18503Q5AT, 40 В, 100 А, 120 Вт (VSONP8, 10 шт.)
2 170 ₴
- В наличии
- Код: TM035432
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18503Q5AT — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 100 А при напряжении 40 В. Модель выполнена в компактном SMD-корпусе VSONP8 (5×6 мм) и реализуется комплектом из 10 штук.
- Ток стока 100 А
- Напряжение сток-исток 40 В
- Мощность рассеивания 120 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 4,7 мОм
- Корпус VSONP8 (5×6 мм)
- Комплект: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток 40 В и выдерживает постоянный ток стока 100 А. Мощность рассеивания составляет 120 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 4,7 мОм, а заряд затвора — 13 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен по технологии NexFET™ в корпусе VSONP8 размером 5×6 мм. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж). Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Символ производителя — CSD18503Q5AT.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 120 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.7 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | VSONP8 |
| Размеры | 5 × 6 |
| Технология | NexFET™ |
- Цена: 2 170 ₴
