Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18503Q5AT, 40 В, 100 А, 120 Вт (VSONP8, 10 шт.)

2 170 ₴

  • В наличии
  • Код: TM035432
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18503Q5AT, 40 В, 100 А, 120 Вт (VSONP8, 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18503Q5AT, 40 В, 100 А, 120 Вт (VSONP8, 10 шт.)В наличии
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18503Q5AT — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 100 А при напряжении 40 В. Модель выполнена в компактном SMD-корпусе VSONP8 (5×6 мм) и реализуется комплектом из 10 штук.

  • Ток стока 100 А
  • Напряжение сток-исток 40 В
  • Мощность рассеивания 120 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии 4,7 мОм
  • Корпус VSONP8 (5×6 мм)
  • Комплект: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток 40 В и выдерживает постоянный ток стока 100 А. Мощность рассеивания составляет 120 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 4,7 мОм, а заряд затвора — 13 нКл.

Корпус и монтаж

Компонент изготовлен по технологии NexFET™ в корпусе VSONP8 размером 5×6 мм. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж). Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Символ производителя — CSD18503Q5AT.

Характеристики
Основные
ПроизводительTexas Instruments
Максимальная мощность рассеивания120 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток40 В
Максимально допустимый ток стока100 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)4.7 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте10 шт.
КорпусVSONP8
Размеры5 × 6
ТехнологияNexFET™
Информация для заказа
  • Цена: 2 170 ₴