Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17581Q3AT, 30V, 60A, VSONP8 (набор 20 шт.)
2 950 ₴
- В наличии
- Код: TM018288
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17581Q3AT, 30V, 60A, VSONP8 (набор 20 шт.)В наличии
2 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17581Q3AT — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе VSONP8 и поставляется набором из 20 штук.
- Ток стока 60 А
- Напряжение сток-исток 30 В
- Рассеиваемая мощность 63 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 3,9 мОм
- Корпус VSONP8 (3,3 × 3,3 мм) для SMD монтажа
- Набор из 20 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор имеет ток стока 60 А и напряжение сток-исток 30 В. Рассеиваемая мощность составляет 63 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 3,9 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент имеет размеры 3,3 × 3,3 мм и выполнен в корпусе VSONP8 для поверхностного монтажа (SMD). Используется технология NexFET™.
Параметры управления
Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Заряд затвора равен 20 нКл. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.
Транзистор CSD17581Q3AT поставляется набором из 20 штук.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 63 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 60 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3.9 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | VSONP8 |
| Размеры | 3.3 × 3.3 |
| Технология | NexFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 950 ₴