Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17579Q5AT, 30V, 25A, VSONP8 (набор 20 шт.)
2 070 ₴
- В наличии
- Код: TM073075
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17579Q5AT, 30V, 25A, VSONP8 (набор 20 шт.)В наличии
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17579Q5AT — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 25 А при напряжении 30 В. Устройство выполнено в корпусе VSONP8 размером 5 × 6 мм с технологией NexFET™ и имеет сопротивление в открытом состоянии 11,6 мОм.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 25 А
- Рассеиваемая мощность: 36 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 11,6 мОм
- Корпус: VSONP8, размеры 5 × 6 мм, монтаж SMD
- Технология: NexFET™
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток 30 В и выдерживает постоянный ток стока 25 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 36 Вт. Заряд затвора равен 5,4 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В.
Корпус и монтаж
Компонент имеет поверхностный монтаж (SMD) в корпусе VSONP8. Габаритные размеры корпуса составляют 5 × 6 мм. Использована технология NexFET™.
Комплектация
Товар поставляется набором из 20 штук.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 36 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 25 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 11.6 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | VSONP8 |
| Размеры | 5 × 6 |
| Технология | NexFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 070 ₴