Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17575Q3T, 30V, 60A, VSON-CLIP8 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17575Q3T — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель выполнена в компактном корпусе VSON-CLIP8 с технологией NexFET™ и рассчитана на ток до 60 А при напряжении 30 В.

• Ток стока: 60 А
• Напряжение сток-исток: 30 В
• Рассеиваемая мощность: 108 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 2,6 мОм
• Корпус: VSON-CLIP8 (3,3 × 3,3 мм)
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор обеспечивает проводимость при напряжении сток-исток 30 В и выдерживает ток стока 60 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 2,6 мОм, что минимизирует потери энергии. Максимальная рассеиваемая мощность равна 108 Вт, а заряд затвора — 23 нКл.

Корпус и монтаж

Компонент изготовлен в корпусе VSON-CLIP8 с размерами 3,3 × 3,3 мм. Такой формат предполагает монтаж для поверхностного монтажа (SMD), что позволяет экономить место на плате. Технология NexFET™ используется для оптимизации характеристик транзистора.

Полярность и тип канала

Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Это означает, что устройство открыто только при наличии напряжения на затворе. Полярность и тип канала определяют поведение компонента в электрической цепи.