Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17308Q3T, 30 В, 50 А, SMD (VSON-CLIP8), набор 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17308Q3T — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока в электронных устройствах. Модель отличается высокой токовой нагрузкой 50 А и низким сопротивлением в открытом состоянии 9,4 мОм, что обеспечивает эффективную работу силовых цепей.

• Ток стока 50 А и импульсный ток 167 А для мощных нагрузок
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 9,4 мОм снижает потери энергии
• Компактный корпус VSON-CLIP8 (3,3 × 3,3 мм) для монтажа SMD
• Технология NexFET™ от Texas Instruments для высокой эффективности
• Набор из 20 транзисторов удобен для прототипирования

Высокая токовая нагрузка

Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 50 А, что позволяет использовать его в мощных силовых схемах с учетом рассеиваемой мощности 2,7 Вт. Импульсный ток может достигать 167 А, что важно для устройств с кратковременными пиковыми нагрузками, таких как драйверы двигателей или импульсные блоки питания.

Эффективность и минимальные потери

Сопротивление в состоянии проводимости составляет всего 9,4 мОм, что минимизирует тепловые потери и повышает общий КПД устройства. Максимальная рассеиваемая мощность 2,7 Вт требует соблюдения правил монтажа для отвода тепла, особенно при работе на граничных режимах.

Компактный корпус SMD

Компонент выполнен в корпусе VSON-CLIP8 с размерами 3,3 × 3,3 мм, что позволяет экономить место на печатной плате. Технология NexFET™ обеспечивает оптимальное соотношение размера и электрических характеристик, а монтаж SMD упрощает автоматизированное производство.

Электрические параметры управления

Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±10 В, что определяет требования к драйверу управления. Заряд затвора 3,9 нКл влияет на скорость переключения транзистора и энергопотребление управляющей цепи. Эти параметры важны для расчета схемы управления затвором в импульсных преобразователях.