Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXT280N02B, 20V, 4A, SOP8 — набор 150 шт.

Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXT280N02B — это двойной полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в схемах управления питанием. Компонент выполнен в компактном корпусе SOP8 для поверхностного монтажа (SMD) и предлагается в комплекте из 150 штук, что удобно для серийного производства или ремонтных мастерских.

• Двойной N-MOSFET транзистор с каналом обогащения
• Напряжение сток-исток 20 В, ток стока 4 А
• Импульсный ток стока до 24 А
• Сопротивление в состоянии проводимости 38 мОм
• Рассеиваемая мощность 1,6 Вт
• Корпус SOP8 для SMD монтажа
• Комплект: 150 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток 20 В и постоянный ток стока 4 А. В импульсном режиме ток может достигать 24 А, что позволяет использовать компонент в силовых ключах с кратковременными нагрузками. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 38 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев во время работы.

Тепловые характеристики и управление

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора — 1,6 Вт. Для эффективного управления затвором предусмотрено напряжение затвор-исток ±12 В. Общий заряд затвора составляет 5,5 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу затвора.

Монтаж и корпус

Компонент изготовлен в корпусе SOP8, что обеспечивает компактность узла. Тип монтажа — SMD (поверхностный), что соответствует современным стандартам автоматизированного производства печатных плат. Такое решение подходит для устройств с ограниченным пространством на плате.

Тип транзистора и полярность Транзистор является двойным N-MOSFET с каналом обогащения и униполярной полярностью. Такая конфигурация позволяет разместить два независимых ключа в одном корпусе SOP8, что экономит место на печатной плате и упрощает трассировку. ## Электрические параметры Транзистор имеет напряжение сток-исток 20 В и постоянный ток стока 4 А. В импульсном режиме ток может достигать 24 А, что позволяет использовать компонент в силовых ключах с кратковременными нагрузками. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 38 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев во время работы. ## Тепловые характеристики и управление Максимальная рассеиваемая мощность транзистора — 1,6 Вт. Для эффективного управления затвором предусмотрено напряжение затвор-исток ±12 В. Общий заряд затвора составляет 5,5 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу затвора. ## Монтаж и корпус Компонент изготовлен в корпусе SOP8, что обеспечивает компактность узла. Тип монтажа — SMD (поверхностный), что соответствует современным стандартам автоматизированного производства печатных плат. Такое решение подходит для устройств с ограниченным пространством на плате. ## Комплектация Товар поставляется в виде набора из 150 штук. Такое количество удобно для серийного производства, сборки прототипов или обеспечения запаса компонентов для ремонтных работ. Транзистор Bridgelux BXT280N02B является оптимальным выбором для инженеров и производителей электроники, которые нуждаются в надежных N-MOSFET транзисторах для низковольтных схем коммутации и управления питанием.