Транзистор N-MOSFET Bridgelux BXT1150N10J, 100 В, 5,6 А, SOT89-3, 150 шт.

Транзистор Bridgelux BXT1150N10J — это униполярный N-MOSFET с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 100 В и ток 5,6 А. Компонент выполнен в корпусе SOT89-3 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется в комплекте из 150 штук. Напряжение затвора составляет ±20 В.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 5,6 А (импульсный до 32 А)
• Корпус SOT89-3 для SMD-монтажа
• Комплект: 150 транзисторов

Напряжение и ток

Транзистор работает с напряжением сток-исток 100 В и выдерживает импульсный ток до 32 А при номинальном токе 5,6 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 135 мОм.

Мощность и заряд затвора

Рассеиваемая мощность ограничена 2 Вт, а заряд затвора — 21 нКл. Эти параметры определяют тепловой режим и скорость переключения компонента.