Транзистор P-MOSFET ONSEMI BVSS84LT1G, SOT23, -50В, -0,13А (набор 60 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI BVSS84LT1G — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT23.## Комплектация набора

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Максимальное напряжение сток-исток: -50 В
• Максимальный ток стока: -130 мА
• Мощность рассеивания: 0,225 Вт
• Количество в комплекте: 60 шт.

Основные электрические параметры

Транзистор работает при напряжении сток-исток до -50 В и максимальном токе стока -130 мА. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт. Напряжение затвор-исток допускает значения ±20 В, а сопротивление в состоянии проводности равно 10 Ом.

Корпус SOT23 и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOT23. Монтаж осуществляется по технологии SMD (поверхностный монтаж).

Электрические характеристики канала

Транзистор имеет канал обогащения (enhancement mode), что означает отсутствие тока стока при нулевом напряжении затвор-исток.