Транзистор N-MOSFET NEXPERIA BUK9Y19-55B,115 (55В, 46А, LFPAK56) — 20 шт.

Транзистор N-MOSFET NEXPERIA BUK9Y19-55B,115 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 20 единиц в корпусе LFPAK56 (PowerSO8, SOT669) для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 55 В
• Ток стока: 46 А (импульсный до 184 А)
• Рассеиваемая мощность: 85 Вт
• Корпус: LFPAK56 (PowerSO8, SOT669), монтаж SMD
• Комплект: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 55 В и постоянный ток стока 46 А. Импульсный ток может достигать 184 А, а рассеиваемая мощность составляет 85 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±15 В, что определяет условия управления устройством.

Монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе LFPAK56, который также известен как PowerSO8 или SOT669. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) на печатные платы. Корпус LFPAK56 рассчитан на рассеивание мощности до 85 Вт.

Комплект поставки

В наборе поставляется 20 транзисторов. Набор содержит 20 транзисторов. Компонент предназначен для применения в автомобильной промышленности. Заряд затвора составляет 18 нКл, что влияет на скорость переключения. Сопротивление в открытом состоянии равно 17,3 мОм, что минимизирует потери энергии при прохождении тока.