Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ900N15NS3GATMA1, 150 В, 13 А, 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ900N15NS3GATMA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 150 В и ток 13 А. Комплект состоит из 20 штук в корпусе PG-TSDSON-8 для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 150 В
• Ток стока: 13 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 90 мОм
• Рассеиваемая мощность: 38 Вт
• Корпус: PG-TSDSON-8, монтаж SMD
• Технология: OptiMOS™ 3
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток 150 В и выдерживает ток стока 13 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 90 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 38 Вт, а допустимое напряжение на затворе — ±20 В.

Технология и монтаж

Прибор изготовлен по технологии OptiMOS™ 3. Корпус PG-TSDSON-8 предназначен для поверхностного монтажа (SMD).

Комплектация

В наборе поставляется 20 транзисторов.