Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ440N10NS3GATMA1, 100В, 18А, PG-TSDSON-8 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель BSZ440N10NS3GATMA1. Это униполярный компонент с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 100 В и ток 18 А. Пакет содержит 20 единиц в корпусе PG-TSDSON-8.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 18 А
• Рассеиваемая мощность: 29 Вт
• Корпус: PG-TSDSON-8, монтаж SMD
• Комплектация: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 100 В и выдерживает ток стока 18 А. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 44 мОм.

Тепловые характеристики и технология OptiMOS™ 3

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 29 Вт. Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3, что влияет на его электрические характеристики. Транзистор предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе PG-TSDSON-8, что обеспечивает компактное размещение на печатных платах. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а сопротивление в открытом состоянии — 44 мОм, что определяет условия управления и эффективность коммутации. Канал транзистора является обогащаемым, что означает отсутствие тока стока при нулевом напряжении затвора. Пакет поставки содержит 20 единиц.