
Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ097N04LSGATMA1, 40V, 40A, PG-TSDSON-8 (20 шт.)
2 180 ₴
- В наличии
- Код: TM035157
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель BSZ097N04LSGATMA1. Это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электрических цепях с напряжением до 40 В и током до 40 А. Пакет содержит 20 единиц товара в корпусе PG-TSDSON-8.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 40 В
- Максимальный ток стока: 40 А
- Рассеиваемая мощность: 35 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 9,7 мОм
- Корпус: PG-TSDSON-8, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение между истоком и стоком 40 В и постоянный ток стока 40 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 9,7 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 35 Вт, а допустимое напряжение на затворе — ±20 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PG-TSDSON-8, который подходит для поверхностного монтажа (SMD). Используется технология OptiMOS™ 3. Монтаж: SMD (поверхностный).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 35 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 40 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9.7 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TSDSON-8 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 180 ₴
