Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ040N04LSGATMA1, 40 В, 40 А, PG-TSDSON-8 (20 шт.)
2 400 ₴
- В наличии
- Код: TM072108
Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ040N04LSGATMA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 40 А при напряжении 40 В. Компонент выполнен в компактном корпусе PG-TSDSON-8 для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию OptiMOS™ 3.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 40 В
- Ток стока: 40 А
- Рассеиваемая мощность: 69 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 4 мОм
- Корпус: PG-TSDSON-8, монтаж SMD
- Технология: OptiMOS™ 3
- Количество в комплекте: 20 шт.
Напряжение и ток
Транзистор работает с напряжением сток-исток 40 В и выдерживает напряжение затвор-исток ±20 В. Максимальный ток стока составляет 40 А, а рассеиваемая мощность — 69 Вт.
Сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в открытом состоянии равно 4 мОм. Этот параметр определяет эффективность коммутации тока и тепловой режим компонента.
Корпус и монтаж
Компонент имеет корпус PG-TSDSON-8, подходящий для автоматизированного поверхностного монтажа (SMD). Такое исполнение позволяет экономить место на печатной плате.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 69 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 40 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TSDSON-8 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
- Цена: 2 400 ₴