Транзистор N-MOSFET Infineon BSS87H6327FTSA1, SOT89-4, 240 В, 0,26 А (набор 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon BSS87H6327FTSA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель выполнена в корпусе SOT89-4 для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию OptiMOS™. Комплект состоит из 30 единиц.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Корпус: SOT89-4, монтаж SMD
• Напряжение сток-исток: 240 В
• Ток стока: 0,26 А
• Рассеиваемая мощность: 1 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 6 Ом
• Технология: OptiMOS™
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 240 В и ток стока 0,26 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 6 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность равна 1 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В.

Корпус и монтаж

Компонент изготовлен в корпусе SOT89-4, который является стандартом для поверхностного монтажа (SMD). Такое исполнение позволяет размещать транзистор на печатных платах без использования отверстий.