P-канальный полевой транзистор NEXPERIA BSS84AKW,115 в корпусе SC70 (SOT323). Это униполярный компонент с максимальным током утечки -0,095 А и напряжением затвор-исток 20 В. Пакет содержит 150 единиц.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Корпус: SC70, SOT323 (поверхностный монтаж)
- Максимальная мощность рассеивания: 0,31 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом обогащения. Максимальная мощность рассеивания составляет 0,31 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено 20 В, а заряд затвора — 0,35 нКл.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в поверхностном корпусе SC70, также известном как SOT323.
Комплектация
В наборе поставляется 150 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 0.31 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
| Производитель | NEXPERIA |
Информация для заказа
- Цена: 2 410 ₴

