Транзистор P-MOSFET Nexperia BSS84AK,215 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Пакет содержит 200 единиц в корпусе SOT23 (TO236AB).
- Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: -50 В
- Ток стока: -0,12 А
- Мощность рассеивания: 0,42 Вт
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Комплектация: набор из 200 шт.
Управление и переключение
Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, что определяет допустимые режимы управления. Заряд затвора составляет 0,35 нКл. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.
Мощность и сопротивление
Мощность рассеивания составляет 0,42 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 13,5 Ом. Ток стока ограничен значением -0,12 А.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 0.42 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 200 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
| Производитель | NEXPERIA |
Информация для заказа
- Цена: 2 050 ₴

