Транзистор P-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель BSS83PH6327XTSA1. Это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе PG-SOT23. Пакет содержит 60 единиц.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -60 В
- Ток стока: -330 мА
- Мощность рассеивания: 0,36 Вт
- Корпус: PG-SOT23, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 60 шт.
Тип транзистора
Транзистор является униполярным P-MOSFET с каналом обогащения. Напряжение сток-исток составляет -60 В, а ток стока — -330 мА. Мощность рассеивания равна 0,36 Вт. Напряжение затвор-исток допускает значения ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии составляет 2 Ом.
Комплект поставки
Компонент изготовлен по технологии SIPMOS™. Корпус PG-SOT23 и тип монтажа SMD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.36 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | PG-SOT23 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 1 980 ₴

