Транзистор N-MOSFET Infineon BSS806NH6327XTSA1, SOT23, 20V, 2,3A (60 шт.)
2 200 ₴
- В наличии
- Код: TM035156
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS806NH6327XTSA1, SOT23, 20V, 2,3A (60 шт.)В наличии
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS806NH6327XTSA1 — это униполярный компонент в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 60 штук.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 20 В
- Ток стока: 2,3 А
- Мощность рассеивания: 0,5 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Комплектация: 60 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток 20 В и максимальный ток стока 2,3 А. Мощность рассеивания составляет 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 82 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23. Используется технология OptiMOS™ 2. Монтаж выполняется методом SMD (поверхностный монтаж). Канал транзистора — обогащенный. Напряжение затвор-исток составляет ±8 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 82 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | OptiMOS™ 2 |
Информация для заказа
- Цена: 2 200 ₴