Транзистор N-MOSFET Infineon BSS806NEH6327XTSA1, 20В, 2,3А, SOT23 (60 шт.)
2 040 ₴
- В наличии
- Код: TM072098
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS806NEH6327XTSA1, 20В, 2,3А, SOT23 (60 шт.)В наличии
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS806NEH6327XTSA1 — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD).## Комплектация
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
- Ток стока: 2,3 А
- Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 82 мОм
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Технология: OptiMOS™ 2
- Количество в комплекте: 60 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 20 В и ток стока 2,3 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,5 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 82 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±8 В.
Технология OptiMOS™ 2
Прибор изготовлен по технологии OptiMOS™ 2. Корпус SOT23 предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Транзистор предназначен для использования в электронных схемах с параметрами, не превышающими указанные.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 82 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | OptiMOS™ 2 |
Информация для заказа
- Цена: 2 040 ₴