
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS7728NH6327XTSA2, SOT23, 60 В, 0,2 А (набор 200 шт.)
2 270 ₴
- В наличии
- Код: TM072097
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS7728NH6327XTSA2 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT23. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и работы в электронных схемах с напряжением до 60 В.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 0,2 А
- Мощность рассеивания: 0,36 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Набор: 200 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 0,2 А. Мощность рассеивания составляет 0,36 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 5 Ом. Допустимое напряжение затвор-исток находится в пределах ±20 В.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен по технологии SIPMOS™ и поставляется в корпусе SOT23 с монтажом SMD.
Количество в комплекте
Товар поставляется набором из 200 штук.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.36 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 5000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 200 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 270 ₴
