Транзистор N-MOSFET Infineon BSS670S2LH6327XTSA1, 55 В, 0,54 А, SOT23 (70 шт.)
1 850 ₴
- В наличии
- Код: TM072096
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS670S2LH6327XTSA1, 55 В, 0,54 А, SOT23 (70 шт.)В наличии
1 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS670S2LH6327XTSA1 — униполярный компонент в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 70 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 В
- Максимально допустимый ток стока: 0,54 А
- Максимальная мощность рассеивания: 0,36 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 70 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 55 В, а максимально допустимый ток стока — 0,54 А. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 0,36 Вт.
Корпус и технология
Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™. Корпус SOT23 предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.36 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.54 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 650 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 70 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | OptiMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 1 850 ₴