Транзистор ONSEMI BSS64LT1G — это биполярный полупроводниковый прибор структуры NPN в корпусе SOT23. Комплект из 150 штук предназначен для массового монтажа на печатных платах и обеспечивает стабильную работу электронных схем.
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 80 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,225 Вт
- Граничная частота: 60 МГц
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Количество в наборе: 150 шт.
Технические параметры
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 80 В и выдерживает ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт, что позволяет использовать компонент в маломощных цепях управления и коммутации. Коэффициент усиления по току равен 20.
Высокочастотные характеристики
Прибор поддерживает граничную частоту 60 МГц, что делает его пригодным для применения в высокочастотных схемах. Такая характеристика важна для устройств, где необходима быстрая реакция на изменения сигнала.
Удобство монтажа
Компонент выполнен в корпусе SOT23 (TO236AB) для поверхностного монтажа (SMD). Это позволяет автоматизировать процесс установки и экономить место на плате. Комплект из 150 штук оптимизирован для производственных нужд и серийного производства.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 80 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 60 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
- Цена: 2 760 ₴

