Транзистор N-MOSFET Infineon BSS606NH6327XTSA1, 60В, 3,2А, SOT89 (комплект 30 шт.)
2 160 ₴
- В наличии
- Код: TM035155
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS606NH6327XTSA1, 60В, 3,2А, SOT89 (комплект 30 шт.)В наличии
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS606NH6327XTSA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Компонент выполнен в компактном корпусе PG-SOT89 для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию OptiMOS™ 3.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 3,2 А
- Рассеиваемая мощность: 1 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 90 мОм
- Корпус: PG-SOT89, монтаж SMD
- Технология: OptiMOS™ 3
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 3,2 А. Рассеиваемая мощность составляет 1 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 90 мОм.
Монтаж и комплектация
Компонент имеет тип монтажа SMD и корпус PG-SOT89. В комплект входит 30 штук транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 90 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PG-SOT89 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 160 ₴